Estados electrónicos en pozos cuánticos y elementos de la matriz de dipolo en GaN-InGaN-AlGaN-GaN
El potencial de confinamiento de electrones en un pozos cuánticos de GaN-InGaN-AlGaN-GaN está determinado por las diferencias de constante de red de los materiales de las barreras y del pozo. Estas diferencias producen campos eléctricos auto inducidos y auto polarizaciones en la heteroestructura. Se...
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| Institution: | Universidad EIA |
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| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Presentación |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://repository.eia.edu.co/handle/11190/5836 |
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