Estudio De Defectos Profundos En Peliculas Epitaxiales De AlxGa1-x As Por La Tecnica De Fotoluminiscencia En El Infrarrojo
Las últimas investigaciones en optoelectrónica tratan sobre la búsqueda de una técnica económica y fidedigna para obtener dispositivos optoelectrónicos [1] integrados monolíticamente que presenten diferentes funcionalidades, tales como láseres, moduladores, detectores switches y guías de onda para p...
Saved in:
| Institution: | Universidad del Quindío |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Trabajo de grado - Maestría |
| Language: | Español |
| Published: |
2008-10-27
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/250 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Table of Contents:
- INDICE DE TABLAS Pag Tabla 1.1 Propiedades de GaAs, AlAs y AlxGa1-xAs 5 Tabla 1.2 Energías de los fonones en meV. 6 Tabla 3.1 Defectos en GaAs, según diferentes autores, en bajas temperaturas 25 Tabla 3.2 Tipo de defecto en 1,21eV según autores, año de Publicación y fracción molar en AlxGa1-xAs 26 Tabla 3.3 Tipo de defecto en 1,034eV según autores, año de Publicación y fracción molar en AlxGa1-xAs 26 Tabla 3.4 Tipo de defecto en 0,93eV según autores, año de Publicación y fracción molar en AlxGa1-xAs 27 Tabla 3.5 Tipo de defecto en 0,83eV según autores, año de Publicación y fracción molar en AlxGa1-xAs 27 Tabla 4.1 Muestras utilizadas en el presente estudio 29 Tabla 5.1 Parámetros de ajuste según modelo Hopfield 34 para GaAs en T=11K Tabla 5.2 Parámetros de ajuste según modelo Hopfield para GaAs potencia de 300mW 35 Tabla 5.3 Energía de relajación térmica para cada defecto para las muestras de AlGaAs con distinta fracción molar. 48 Tabla 5.4 Energía de activación térmica para cada defecto para las muestras de AlGaAs con distinta fracción molar. 48
